Advanced Modeling and Simulation of Multilayer Spin–Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory with Interface Exchange Coupling

In advancing the study of magnetization dynamics in STT-MRAM devices, we employ the spin drift–diffusion model to address the back-hopping effect. This issue manifests as unwanted switching either in the composite free layer or in the reference layer in synthetic antiferromagnets—a challenge that be...

תיאור מלא

מידע ביבליוגרפי

Principais autores:	Mario Bendra, Roberto Lacerda de Orio, Siegfried Selberherr, Wolfgang Goes, Viktor Sverdlov
פורמט:	Artigo
שפה:	Inglês
יצא לאור:	MDPI AG 2024-04-01
סדרה:	Micromachines
נושאים:	spintronic devices back-hopping spin–transfer torques interlayer exchange coupling micromagnetics MRAM
גישה מקוונת:	https://www.mdpi.com/2072-666X/15/5/568
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!