Advanced Modeling and Simulation of Multilayer Spin–Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory with Interface Exchange Coupling

In advancing the study of magnetization dynamics in STT-MRAM devices, we employ the spin drift–diffusion model to address the back-hopping effect. This issue manifests as unwanted switching either in the composite free layer or in the reference layer in synthetic antiferromagnets—a challenge that be...

முழு விளக்கம்

நூற்பட்டியல் விவரங்கள்

முதன்மை ஆசிரியர்கள்:	Mario Bendra, Roberto Lacerda de Orio, Siegfried Selberherr, Wolfgang Goes, Viktor Sverdlov
வடிவம்:	Artigo
மொழி:	Inglês
வெளியிடப்பட்டது:	MDPI AG 2024-04-01
தொடர்:	Micromachines
பொருள்கள்:	spintronic devices back-hopping spin–transfer torques interlayer exchange coupling micromagnetics MRAM
ஆன்லைன் அணுகல்:	https://www.mdpi.com/2072-666X/15/5/568
குறிச்சொற்கள்:	குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும் டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!