Advanced Modeling and Simulation of Multilayer Spin–Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory with Interface Exchange Coupling

In advancing the study of magnetization dynamics in STT-MRAM devices, we employ the spin drift–diffusion model to address the back-hopping effect. This issue manifests as unwanted switching either in the composite free layer or in the reference layer in synthetic antiferromagnets—a challenge that be...

সম্পূর্ণ বিবরণ

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন

প্রধান লেখক:	Mario Bendra, Roberto Lacerda de Orio, Siegfried Selberherr, Wolfgang Goes, Viktor Sverdlov
বিন্যাস:	Artigo
ভাষা:	Inglês
প্রকাশিত:	MDPI AG 2024-04-01
মালা:	Micromachines
বিষয়গুলি:	spintronic devices back-hopping spin–transfer torques interlayer exchange coupling micromagnetics MRAM
অনলাইন ব্যবহার করুন:	https://www.mdpi.com/2072-666X/15/5/568
ট্যাগগুলো:	ট্যাগ যুক্ত করুন কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!