Đang tải...

RBS and TEM studies of strain in epitaxially grown CaF2 on Si(111)

In recent years strained layers in epitaxial systems relevant for microelectronic applications have found increasing attention. Due to strain effects the lattice parameters in epitaxial films are changed with reference to those of the bulk material. This allows to design material combinations with n...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:Superficies y vacío
Những tác giả chính: A. Tempel, A. Zehe, A. Ramírez
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 1999
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94200944
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!