Ładuje się......

ZnSe epitaxial films grown by MBE on nitrogen treated Si(111) substrates

We have prepared ZnSe epilayers by pulsed molecular beam epitaxy (MBE) on Si(111) substrates, irradiated with a plasma of nitrogen (N-plasma) prior to the deposition. These samples were compared with ZnSe epilayers prepared by conventional MBE directly on untreated Si substrates. The reflection h...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Wydane w:Superficies y vacío
Główni autorzy: V. H. Méndez-García, M. López-López, I. Hernández-Calderón
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 1999
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94211324010
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!