Epitaxial graphene on cubic SiC(111)∕Si(111) substrate

Epitaxial graphene films grown on silicon carbide (SiC) substrate by solid state graphitization is of great interest for electronic and optoelectronic applications. In this paper, we explore the properties of epitaxial graphene films on 3C-SiC(111)∕Si(111) substrate. X-ray photoelectron spectroscopy...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Główni autorzy: Ouerghi, A., Kahouli, A., Lucot, D., Portail, M., Travers, L., Gierak, J., Penuelas, J., Jegou, P., Shukla, A., Chassagne, T., Zielinski, M.
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: American Institute of Physics 2010
Hasła przedmiotowe:
Structural, Mechanical, Thermodynamic, and Optical Properties of Condensed Matter
Dostęp online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC2881931/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/20531979
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1063/1.3427406
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!

Podobne zapisy