Ładuje się......
P-type doping in a-Si1-xCx:H obtained by PECVD
In previous works we have pointed out the importance of the so called silane starving plasma condition on the optical, chemical and structural properties of a-Si1-xCx:H obtained by standard radio frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) technique from Silane (SiH4) and Methane (...
Zapisane w:
| Wydane w: | Superficies y vacío |
|---|---|
| Główni autorzy: | , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
1999
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94200931 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|