Yüklüyor......
P-type doping in a-Si1-xCx:H obtained by PECVD
In previous works we have pointed out the importance of the so called silane starving plasma condition on the optical, chemical and structural properties of a-Si1-xCx:H obtained by standard radio frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) technique from Silane (SiH4) and Methane (...
Kaydedildi:
| Yayımlandı: | Superficies y vacío |
|---|---|
| Asıl Yazarlar: | , |
| Materyal Türü: | Artigo |
| Dil: | Inglês |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
1999
|
| Konular: | |
| Online Erişim: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94200931 |
| Etiketler: |
Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!
|