Quantum confined Stark effect in n-type delta-doped quantum wells
Electronic states in Si±-doped GaAs quantum wells with an electric field applied perpendicular to the layers have been studied. Thomas-Fermi approximation for the self-consistent external potential in the tight binding model and a spin-dependentsp3s§basis with nearestneighbours is used. The inhomo...
Պահպանված է:
| Հրատարակված է: | Revista Mexicana de Física |
|---|---|
| Հիմնական հեղինակներ: | , , , |
| Ձևաչափ: | Artigo |
| Լեզու: | Inglês |
| Հրապարակվել է: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2007
|
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57036163015 |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|