Quantum confined Stark effect in n-type delta-doped quantum wells
Electronic states in Si±-doped GaAs quantum wells with an electric field applied perpendicular to the layers have been studied. Thomas-Fermi approximation for the self-consistent external potential in the tight binding model and a spin-dependentsp3s§basis with nearestneighbours is used. The inhomo...
சேமிக்கப்பட்டது:
| இதில் வெளியிடப்பட்டது: | Revista Mexicana de Física |
|---|---|
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , |
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2007
|
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57036163015 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|