Subband structure comparison between n- and p-type double delta-doped GaAs quantum wells
We compute the electron level structure (n-type) and the hole subband structure (p-type) of double ±-doped GaAs (DDD) quantum wells,considering exchange effects. The Thomas-Fermi (TF), and Thomas-Fermi-Dirac (TFD) approximations have been applied in order todescribe the bending of the conduction and...
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| Publicado no: | Revista Mexicana de Física |
|---|---|
| Principais autores: | , |
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2004
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| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57050610 |
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