Načítá se...
Design of a JFET and radiation PIN detector integrated on a high resistivity silicon substrate using a high temperature process
In this work, a fabrication process with a PIN diode integrated in a high resistivity silicon wafer is presented. This process uses high temperature thermal treatments to improve the JFET characteristics. Using simulation programs and statistical tools, the contribution of diverse process steps on t...
Uloženo v:
| Vydáno v: | Revista Mexicana de Física |
|---|---|
| Hlavní autoři: | , , |
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Inglês |
| Vydáno: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2006
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57028295016 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|