Manufactured Silicon Diode used as an Internal Conversion Electrons Detector
In this work we have studied the direct detection and spectrometric capabilities for internal conversion electronsof an ion-implanted diode, developed in the framework of R&D programs at CERN, envisaging its use in anelectron-gamma coincidence system for nuclear parameters measurements. The best ene...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Brazilian Journal of Physics |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Sociedade Brasileira de Física
2004
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46434572 |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
