QR Kod

Modelling the C-V characteristics of MOS capacitor on high resistivity silicon substrate for PIN photodetector applications

This work proposes an electrical model to simulate the C–V measurements of the MOS capacitor on high resistivity silicon. High resistivity silicon is used as a substrate for PIN photo detectors. C–V MOS capacitor characteristics on high resistivity silicon substrates differ considerably from the C–V...

Ful tanımlama

Kaydedildi:
Detaylı Bibliyografya
Yayımlandı:Revista Mexicana de Física
Asıl Yazarlar: J.A. Luna–López., M. Aceves–Mijares, Oleksandr Malik, R. Glaenzer
Materyal Türü: Artigo
Dil:Inglês
Baskı/Yayın Bilgisi: Sociedad Mexicana de Física A.C. 2006
Konular:
Online Erişim:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57028295014
Etiketler: Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!