Modelling the C-V characteristics of MOS capacitor on high resistivity silicon substrate for PIN photodetector applications

This work proposes an electrical model to simulate the C–V measurements of the MOS capacitor on high resistivity silicon. High resistivity silicon is used as a substrate for PIN photo detectors. C–V MOS capacitor characteristics on high resistivity silicon substrates differ considerably from the C–V...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Revista Mexicana de Física
Hlavní autoři:	J.A. Luna–López., M. Aceves–Mijares, Oleksandr Malik, R. Glaenzer
Médium:	Artigo
Jazyk:	Inglês
Vydáno:	Sociedad Mexicana de Física A.C. 2006
Témata:	Física, Astronomía y Matemáticas
On-line přístup:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57028295014
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!