Modelling the C-V characteristics of MOS capacitor on high resistivity silicon substrate for PIN photodetector applications

This work proposes an electrical model to simulate the C–V measurements of the MOS capacitor on high resistivity silicon. High resistivity silicon is used as a substrate for PIN photo detectors. C–V MOS capacitor characteristics on high resistivity silicon substrates differ considerably from the C–V...

முழு விளக்கம்

நூற்பட்டியல் விவரங்கள்

இதில் வெளியிடப்பட்டது:	Revista Mexicana de Física
முதன்மை ஆசிரியர்கள்:	J.A. Luna–López., M. Aceves–Mijares, Oleksandr Malik, R. Glaenzer
வடிவம்:	Artigo
மொழி:	Inglês
வெளியிடப்பட்டது:	Sociedad Mexicana de Física A.C. 2006
பொருள்கள்:	Física, Astronomía y Matemáticas
ஆன்லைன் அணுகல்:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57028295014
குறிச்சொற்கள்:	குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும் டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!