تحميل...

Design of a JFET and radiation PIN detector integrated on a high resistivity silicon substrate using a high temperature process

In this work, a fabrication process with a PIN diode integrated in a high resistivity silicon wafer is presented. This process uses high temperature thermal treatments to improve the JFET characteristics. Using simulation programs and statistical tools, the contribution of diverse process steps on t...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:Revista Mexicana de Física
المؤلفون الرئيسيون: A.T. Medel de Gante, M. Aceves–Mijares, A. Cerdeira
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: Sociedad Mexicana de Física A.C. 2006
الموضوعات:
PIN
الوصول للمادة أونلاين:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57028295016
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!