Nanocrystalline GaN and GaN:H Films Grown by RF-Magnetron Sputtering

The structural and optical properties of nanocrystalline GaN and GaN:H films grown by RF-magnetronsputtering are focused here. The films were grown using a Ga target and a variety of deposition parameters(N2/H2/Arflow rates, RF power, and substrate temperatures). Si (100) and fused silica substrates...

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Detalles Bibliográficos

Publicado en:	Brazilian Journal of Physics
Principais autores:	D. M. G. Leite, A. L. J. Pereira, L. F. da Silva, J. H. Dias da Silva
Formato:	Artigo
Idioma:	Inglês
Publicado:	Sociedade Brasileira de Física 2006
Assuntos:	Física, Astronomía y Matemáticas
Acceso en liña:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46436548
Tags:	Engadir etiqueta Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!