Electron Mobility Study of Hot-Wall CVD GaN and InN Nanowires

A review of the dependence of the electron mobility on the free carrier concentration for gallium nitrideand indium nitride nanowires grown using hot-wall chemical vapour deposition is presented. Gallium nitridenanowires exhibit mobilities of 100 cm2/Vs to below 1 cm2/Vs for carrier concentrations o...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հրատարակված է:	Brazilian Journal of Physics
Հիմնական հեղինակներ:	Elena Cimpoiasu, Eric Stern, Guosheng Cheng, Ryan Munden, Aric Sanders, Mark A. Reed
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	Sociedade Brasileira de Física 2006
Խորագրեր:	Física, Astronomía y Matemáticas
Առցանց հասանելիություն:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46436507
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!