Electron Mobility Study of Hot-Wall CVD GaN and InN Nanowires
A review of the dependence of the electron mobility on the free carrier concentration for gallium nitrideand indium nitride nanowires grown using hot-wall chemical vapour deposition is presented. Gallium nitridenanowires exhibit mobilities of 100 cm2/Vs to below 1 cm2/Vs for carrier concentrations o...
Збережено в:
| Опубліковано в:: | Brazilian Journal of Physics |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Artigo |
| Мова: | Inglês |
| Опубліковано: |
Sociedade Brasileira de Física
2006
|
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46436507 |
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|