Modeling Chaotic Current Oscillations in Semi-Insulating GaAs with Rate-Equations of Impact Ionization and Field-Enhanced Trapping

We investigated the effect of adding the field-dependent recombination process, namely field-enhanced trapping,to the generation-recombination processes of charge carriers that model current oscillations in semiconductors.The main new features arising from this modification are identified in bifurca...

תיאור מלא

מידע ביבליוגרפי

הוצא לאור ב:	Brazilian Journal of Physics
Principais autores:	H.A. Albuquerque, R. L. da Silva, R. M. Rubinger, A. G. de Oliveira, G.M. Ribeiro, W. N. Rodrigues
פורמט:	Artigo
שפה:	Inglês
יצא לאור:	Sociedade Brasileira de Física 2006
נושאים:	Física, Astronomía y Matemáticas
גישה מקוונת:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46436303
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!