Variable Range Hopping Conduction in Low-Temperature Molecular Beam Epitaxy GaAs
Electric transport properties measured by Van der Pauw resistivity experiments of Low-Temperature MolecularBeam Epitaxy (LT-MBE) GaAs samples are used to identify a method to improve the resistivity of GaAsmaterial. We present results on five samples grown at 265, 310, 315, 325, and 345 oC. The elec...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Brazilian Journal of Physics |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Sociedade Brasileira de Física
2006
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46436304 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|