Variable Range Hopping Conduction in Low-Temperature Molecular Beam Epitaxy GaAs

Electric transport properties measured by Van der Pauw resistivity experiments of Low-Temperature MolecularBeam Epitaxy (LT-MBE) GaAs samples are used to identify a method to improve the resistivity of GaAsmaterial. We present results on five samples grown at 265, 310, 315, 325, and 345 oC. The elec...

Descrición completa

Gardado en:
Detalles Bibliográficos
Publicado en:Brazilian Journal of Physics
Main Authors: C. P. L Rubinger, R.M. Rubinger, H.A. Albuquerque, R. L. da Silva, A. G. de Oliveira, G.M. Ribeiro, W. N. Rodrigues, M. V. B. Moreira
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado: Sociedade Brasileira de Física 2006
Assuntos:
Física, Astronomía y Matemáticas
GaAs
Variable range hopping
Resistivity measurements
Acceso en liña:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46436304
Tags: Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!

Títulos similares