Ładuje się......
Initial Growth of GaN and InN Over GaAs (110) Substrates
We present, a systematic theoretical study of the adsorption of Ga, In and N over GaAs (110) surfaces basedon parameter-free, self-consistent total energy and force calculations using the density functional theory. Weanalyzed the changes in the bond-lengths and in the bond-angles before and after de...
Zapisane w:
| Wydane w: | Brazilian Journal of Physics |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Sociedade Brasileira de Física
2004
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46434417 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|