Φορτώνει......

Initial Growth of GaN and InN Over GaAs (110) Substrates

We present, a systematic theoretical study of the adsorption of Ga, In and N over GaAs (110) surfaces basedon parameter-free, self-consistent total energy and force calculations using the density functional theory. Weanalyzed the changes in the bond-lengths and in the bond-angles before and after de...

Πλήρης περιγραφή

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Τόπος έκδοσης:Brazilian Journal of Physics
Κύριοι συγγραφείς: H. W. Alves Leite, A. de Paiva, J. L. A. Alves
Μορφή: Artigo
Γλώσσα:Inglês
Έκδοση: Sociedade Brasileira de Física 2004
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46434417
Ετικέτες: Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!