Ładuje się......

Initial Growth of GaN and InN Over GaAs (110) Substrates

We present, a systematic theoretical study of the adsorption of Ga, In and N over GaAs (110) surfaces basedon parameter-free, self-consistent total energy and force calculations using the density functional theory. Weanalyzed the changes in the bond-lengths and in the bond-angles before and after de...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Wydane w:Brazilian Journal of Physics
Główni autorzy: H. W. Alves Leite, A. de Paiva, J. L. A. Alves
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: Sociedade Brasileira de Física 2004
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46434417
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!