Φορτώνει......
Initial Growth of GaN and InN Over GaAs (110) Substrates
We present, a systematic theoretical study of the adsorption of Ga, In and N over GaAs (110) surfaces basedon parameter-free, self-consistent total energy and force calculations using the density functional theory. Weanalyzed the changes in the bond-lengths and in the bond-angles before and after de...
Αποθηκεύτηκε σε:
| Τόπος έκδοσης: | Brazilian Journal of Physics |
|---|---|
| Κύριοι συγγραφείς: | , , |
| Μορφή: | Artigo |
| Γλώσσα: | Inglês |
| Έκδοση: |
Sociedade Brasileira de Física
2004
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46434417 |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|