Initial Growth of GaN and InN Over GaAs (110) Substrates
We present, a systematic theoretical study of the adsorption of Ga, In and N over GaAs (110) surfaces basedon parameter-free, self-consistent total energy and force calculations using the density functional theory. Weanalyzed the changes in the bond-lengths and in the bond-angles before and after de...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Brazilian Journal of Physics |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Sociedade Brasileira de Física
2004
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46434417 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|