Đang tải...
Core-shell p-i-n GaN nanowire LEDs by N-polar selective area growth*
GaN nanowire LEDs with radial p-i-n junctions were grown by molecular beam epitaxy using N-polar selective area growth on Si(111) substrates. The N-polar selective area growth process facilitated the growth of isolated and high-aspect-ratio n-type NW cores that were not subject to self-shadowing eff...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Proc SPIE Int Soc Opt Eng |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
2018
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7745221/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/33343056 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1117/12.2322832 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|