Ferroelectricity in Si-Doped Hafnia: Probing Challenges in Absence of Screening Charges

The ability to develop ferroelectric materials using binary oxides is critical to enable novel low-power, high-density non-volatile memory and fast switching logic. The discovery of ferroelectricity in hafnia-based thin films, has focused the hopes of the community on this class of materials to over...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রকাশিত:Nanomaterials (Basel)
প্রধান লেখক: Celano, Umberto, Gomez, Andres, Piedimonte, Paola, Neumayer, Sabine, Collins, Liam, Popovici, Mihaela, Florent, Karine, McMitchell, Sean R. C., Favia, Paola, Drijbooms, Chris, Bender, Hugo, Paredis, Kristof, Di Piazza, Luca, Jesse, Stephen, Van Houdt, Jan, van der Heide, Paul
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: MDPI 2020
বিষয়গুলি:
Article
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7466465/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32796703
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/nano10081576
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

অনুরূপ উপাদানগুলি