লোডিং...
Effect of Various Defects on 4H-SiC Schottky Diode Performance and Its Relation to Epitaxial Growth Conditions
In this paper, the chemical vapor deposition (CVD) processing for 4H-SiC epilayer is investigated with particular emphasis on the defects and the noise properties. It is experimentally found that the process parameters of C/Si ratio strongly affect the surface roughness of epilayers and the density...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Micromachines (Basel) |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
MDPI
2020
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7345170/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32599702 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/mi11060609 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|