Ładuje się......
Hole spins in an InAs/GaAs quantum dot molecule subject to lateral electric fields
There has been tremendous progress in manipulating electron and hole-spin states in quantum dots or quantum dot molecules (QDMs) with growth-direction (vertical) electric fields and optical excitations. However, the response of carriers in QDMs to an in-plane (lateral) electric field remains largely...
Zapisane w:
| Wydane w: | Phys Rev B |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
2016
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7047739/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32118123 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1103/physrevb.93.245402 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|