লোডিং...
Amorphous Tin Oxide Applied to Solution Processed Thin-Film Transistors
The limited choice of materials for large area electronics limits the expansion of applications. Polycrystalline silicon (poly-Si) and indium gallium zinc oxide (IGZO) lead to thin-film transistors (TFTs) with high field-effect mobilities (>10 cm(2)/Vs) and high current ON/OFF ratios (I(On)/I(Off...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Materials (Basel) |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
MDPI
2019
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6829470/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31614961 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma12203341 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|