লোডিং...
Effects of helium annealing in low-temperature and solution-processed amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors
In this paper, low-temperature, solution-processed amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors (a-IGZO TFTs) with annealing temperatures as low as 300°C were fabricated using different annealing gases of He, N2, and O2 and their electrical characteristics and long-term stability were a...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
AIP Publishing LLC
2019-04-01
|
| মালা: | AIP Advances |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://dx.doi.org/10.1063/1.5092642 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|