লোডিং...
Parasitic engineering for RRAM control
The inevitable current overshoot which follows forming in filamentary RRAM devices is often perceived as a source of variability that should be minimized. This sentiment has led to efforts to curtail the overshoot by decreasing the parasitic capacitance using highly integrated 1T-1R or 1R-1R device...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Solid State Electron |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
2018
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6759863/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31555017 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|