লোডিং...
Giant Electroresistance in Ferroionic Tunnel Junctions
Oxide-based resistive switching devices, including ferroelectric tunnel junctions and resistance random access memory, are promising candidates for the next-generation non-volatile memory technology. In this work, we propose a ferroionic tunnel junction to realize a giant electroresistance. It funct...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | iScience |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Elsevier
2019
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6584484/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31220760 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1016/j.isci.2019.05.043 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|