تحميل...
Giant Electroresistance in Edge Metal-Insulator-Metal Tunnel Junctions Induced by Ferroelectric Fringe Fields
An enormous amount of research activities has been devoted to developing new types of non-volatile memory devices as the potential replacements of current flash memory devices. Theoretical device modeling was performed to demonstrate that a huge change of tunnel resistance in an Edge Metal-Insulator...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Sci Rep |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Nature Publishing Group
2016
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4967890/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27476475 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep30646 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|