تحميل...
Giant Electroresistance in Ferroionic Tunnel Junctions
Oxide-based resistive switching devices, including ferroelectric tunnel junctions and resistance random access memory, are promising candidates for the next-generation non-volatile memory technology. In this work, we propose a ferroionic tunnel junction to realize a giant electroresistance. It funct...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | iScience |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Elsevier
2019
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6584484/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31220760 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1016/j.isci.2019.05.043 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|