লোডিং...
Optically controlled electroresistance and electrically controlled photovoltage in ferroelectric tunnel junctions
Ferroelectric tunnel junctions (FTJs) have recently attracted considerable interest as a promising candidate for applications in the next-generation non-volatile memory technology. In this work, using an ultrathin (3 nm) ferroelectric Sm(0.1)Bi(0.9)FeO(3) layer as the tunnelling barrier and a semico...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Nat Commun |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Nature Publishing Group
2016
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4773477/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26924259 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/ncomms10808 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|