Φορτώνει......

Optically controlled electroresistance and electrically controlled photovoltage in ferroelectric tunnel junctions

Ferroelectric tunnel junctions (FTJs) have recently attracted considerable interest as a promising candidate for applications in the next-generation non-volatile memory technology. In this work, using an ultrathin (3 nm) ferroelectric Sm(0.1)Bi(0.9)FeO(3) layer as the tunnelling barrier and a semico...

Πλήρης περιγραφή

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Τόπος έκδοσης:Nat Commun
Κύριοι συγγραφείς: Jin Hu, Wei, Wang, Zhihong, Yu, Weili, Wu, Tom
Μορφή: Artigo
Γλώσσα:Inglês
Έκδοση: Nature Publishing Group 2016
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4773477/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26924259
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/ncomms10808
Ετικέτες: Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!