लोड हो रहा है...
Low-temperature fabrication of an HfO(2) passivation layer for amorphous indium–gallium–zinc oxide thin film transistors using a solution process
We report low-temperature solution processing of hafnium oxide (HfO(2)) passivation layers for amorphous indium–gallium–zinc oxide (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs). At 150 °C, the hafnium chloride (HfCl(4)) precursor readily hydrolyzed in deionized (DI) water and transformed into an HfO(2) film...
में बचाया:
| में प्रकाशित: | Sci Rep |
|---|---|
| मुख्य लेखकों: | , , , , , |
| स्वरूप: | Artigo |
| भाषा: | Inglês |
| प्रकाशित: |
Nature Publishing Group UK
2017
|
| विषय: | |
| ऑनलाइन पहुंच: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5701140/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29176568 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-017-16585-x |
| टैग : |
टैग जोड़ें
कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!
|