লোডিং...
The Effects of Annealing Temperatures on Composition and Strain in Si(x)Ge(1−)(x) Obtained by Melting Growth of Electrodeposited Ge on Si (100)
The effects of annealing temperatures on composition and strain in Si(x)Ge(1−)(x), obtained by rapid melting growth of electrodeposited Ge on Si (100) substrate were investigated. Here, a rapid melting process was performed at temperatures of 1000, 1050 and 1100°C for 1 s. All annealed samples show...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Materials (Basel) |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , , , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
MDPI
2014
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5453104/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28788521 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma7021409 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|