Ładuje się......
Synthesis of Ge(1−x)Sn(x) Alloy Thin Films by Rapid Thermal Annealing of Sputtered Ge/Sn/Ge Layers on Si Substrates
In this work, nanocrystalline Ge(1−x)Sn(x) alloy formation from a rapid thermal annealed Ge/Sn/Ge multilayer has been presented. The multilayer was magnetron sputtered onto the Silicon substrate. This was followed by annealing the layers by rapid thermal annealing, at temperatures of 300 °C, 350 °C,...
Zapisane w:
| Wydane w: | Materials (Basel) |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
MDPI
2018
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6266654/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30424494 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma11112248 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|