تحميل...
Temperature-Dependent Non-linear Resistive Switching Characteristics and Mechanism Using a New W/WO(3)/WO(x)/W Structure
Post-metal annealing temperature-dependent forming-free resistive switching memory characteristics, Fowler-Nordheim (F-N) tunneling at low resistance state, and after reset using a new W/WO(3)/WO(x)/W structure have been investigated for the first time. Transmission electron microscope image shows a...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Springer US
2016
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5014781/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27605241 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-016-1602-7 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|