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Corrigendum: Improved Drain Current Saturation and Voltage Gain in Graphene–on–Silicon Field Effect Transistors

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ग्रंथसूची विवरण
में प्रकाशित:Sci Rep
मुख्य लेखकों: Song, Seung Min, Bong, Jae Hoon, Hwang, Wan Sik, Cho, Byung Jin
स्वरूप: Artigo
भाषा:Inglês
प्रकाशित: Nature Publishing Group 2016
विषय:
ऑनलाइन पहुंच:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4921914/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27346693
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep28412
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