تحميل...
Impact of device size and thickness of Al(2)O(3) film on the Cu pillar and resistive switching characteristics for 3D cross-point memory application
Impact of the device size and thickness of Al(2)O(3) film on the Cu pillars and resistive switching memory characteristics of the Al/Cu/Al(2)O(3)/TiN structures have been investigated for the first time. The memory device size and thickness of Al(2)O(3) of 18 nm are observed by transmission electron...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Springer US
2014
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4494016/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26088986 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-9-692 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|