लोड हो रहा है...
Novel 14-nm Scallop-Shaped FinFETs (S-FinFETs) on Bulk-Si Substrate
In this study, novel p-type scallop-shaped fin field-effect transistors (S-FinFETs) are fabricated using an all-last high-k/metal gate (HKMG) process on bulk-silicon (Si) substrates for the first time. In combination with the structure advantage of conventional Si nanowires, the proposed S-FinFETs p...
में बचाया:
| में प्रकाशित: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| मुख्य लेखकों: | , , , , , |
| स्वरूप: | Artigo |
| भाषा: | Inglês |
| प्रकाशित: |
Springer US
2015
|
| विषय: | |
| ऑनलाइन पहुंच: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4456591/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26055484 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-015-0958-4 |
| टैग : |
टैग जोड़ें
कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!
|