Ładuje się......
Gate Modulation of Graphene-ZnO Nanowire Schottky Diode
Graphene-semiconductor interface is important for the applications in electronic and optoelectronic devices. Here we report the modulation of the electric transport properties of graphene/ZnO nanowire Schottky diode by gate voltage (V(g)). The ideality factor of the graphene/ZnO nanowire Schottky di...
Zapisane w:
| Wydane w: | Sci Rep |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Nature Publishing Group
2015
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4421871/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25944683 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep10125 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|