Đang tải...
Gate Modulation of Graphene-ZnO Nanowire Schottky Diode
Graphene-semiconductor interface is important for the applications in electronic and optoelectronic devices. Here we report the modulation of the electric transport properties of graphene/ZnO nanowire Schottky diode by gate voltage (V(g)). The ideality factor of the graphene/ZnO nanowire Schottky di...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Sci Rep |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group
2015
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4421871/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25944683 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep10125 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|