טוען...
The function of a 60-nm-thick AlN buffer layer in n-ZnO/AlN/p-Si(111)
ZnO films were prepared on p-Si (111) substrates by using atomic layer deposition. High-resolution x-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), photoluminescence (PL), and I-V measurements were carried out to characterize structural, electrical...
שמור ב:
| הוצא לאור ב: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , , |
| פורמט: | Artigo |
| שפה: | Inglês |
| יצא לאור: |
Springer US
2015
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4385121/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25852387 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-015-0809-3 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|