تحميل...
Self-compliance RRAM characteristics using a novel W/TaO( x )/TiN structure
Self-compliance resistive random access memory (RRAM) characteristics using a W/TaO( x )/TiN structure are reported for the first time. A high-resolution transmission electron microscope (HRTEM) image shows an amorphous TaO( x ) layer with a thickness of 7 nm. A thin layer of TiO( x )N( y ) with a t...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Springer
2014
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4066319/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/24982604 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-9-292 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|