Loading...
Retraction: Enhanced resistive switching memory characteristics and mechanism using a Ti nanolayer at the W/TaOx interface
Na minha lista:
| Main Authors: | , , , , |
|---|---|
| Format: | Artigo |
| Sprog: | Inglês |
| Udgivet: |
Springer
2013
|
| Fag: | |
| Online adgang: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3853228/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/24229327 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-8-419 |
| Tags: |
Tilføj Tag
Ingen Tags, Vær først til at tagge denne postø!
|