Ładuje się......
A look underneath the SiO(2)/4H-SiC interface after N(2)O thermal treatments
The electrical compensation effect of the nitrogen incorporation at the SiO(2)/4H-SiC (p-type) interface after thermal treatments in ambient N(2)O is investigated employing both scanning spreading resistance microscopy (SSRM) and scanning capacitance microscopy (SCM). SSRM measurements on p-type 4H-...
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Beilstein-Institut
2013
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3628548/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/23616945 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3762/bjnano.4.26 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|